| 光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构 |
| 安琪; 金鹏; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，该结构的中心区域为有源区，有源区周边为环绕光栅，环绕光栅为无源区。在该结构的有源区注以电流，使有源区产生超辐射光，作为无源区的环绕光栅将传播至环绕光栅下方的超辐射光耦合至该结构表面并输出。本发明提供的是一种全新的光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构，具有发散角小和光斑形状规则、大出光面积以及易于片上测试和集成等诸多优点，可大大提高光纤耦合效率和输出功率。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN200910236703.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910236703.3
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22253
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
安琪,金鹏,王占国. 光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构. CN200910236703.3.
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