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制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法; 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法
王佐才; 金鹏; 王占国
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法,包括如下步骤:步骤1:在具有功能区的基片上涂覆一层光刻胶;步骤2:采用普通光学套刻的方法,将各功能区间的光刻胶去除;步骤3:腐蚀或刻蚀去除光刻胶处的上金属电极、绝缘层和欧姆接触层,形成隔离带;步骤4:将基片上的光刻胶去除;步骤5:在隔离带处对基片进行离子注入;步骤6:退火,完成电学隔离。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN200910243745.X
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910243745.X
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22233
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
王佐才,金鹏,王占国. 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法, 制备多区域结构超辐射发光管电学隔离的方法. CN200910243745.X.
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