单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法
唐爱伟; 曲胜春; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法,包括如下步骤:步骤1:以金属有机铜化合物作为铜原料,脂肪族硫醇作为硫原料;步骤2:将铜原料和硫原料加入到高沸点溶剂中,搅拌均匀,进行加热反应,得到反应液;步骤3:将反应液冷却至室温;步骤4:向反应液中加入沉淀剂,有灰色或黑色沉淀析出;步骤5:向析出的沉淀中加入溶剂,使沉淀溶解,得到溶液;步骤6:向溶解后的溶液中加入沉淀剂,进行陈化,离心;步骤7:在真空中进行干燥,得到硫化亚铜半导体纳米晶。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN201010121621.7
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010121621.7
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22219
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
唐爱伟,曲胜春,王占国. 单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法. CN201010121621.7.
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