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量子级联探测器结构
孔宁; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王利军; 王占国
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种量子级联探测器结构,包括:一衬底;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层制作在衬底上,该下欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触;一势垒隔离层,该势垒隔离层制作在下欧姆接触层上的中间部位,使下欧姆接触层的四周形成台面,该势垒隔离层不掺杂;一多周期的有源区结构层,该多周期的有源区结构层制作在势垒隔离层上,该多周期的有源区结构层是实现探测器的探测光电流的核心部位;一上欧姆接触层,该上欧姆接触层制作在多周期的有源区结构层上,该上欧姆接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触;一上电极,该上电极制作在上欧姆接触层上;一下电极,该下电极做在下欧姆接触层四周的台面上。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN201010191861.4
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010191861.4
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22193
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
孔宁,刘俊岐,李路,等. 量子级联探测器结构. CN201010191861.4.
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