基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法
孔端花; 朱洪亮; 梁松
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法,包括:在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层;制作无源波导区,另一侧为有源波导区;制作光栅;在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层;在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导;在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层;将Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉;在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟,在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟;在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极;将N型磷化铟衬底减薄;在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极,完成器件的制作。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN201010231175.5
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010231175.5
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22189
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
孔端花,朱洪亮,梁松. 基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法. CN201010231175.5.
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