SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构
孔金霞; 徐波; 王占国
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构,包括:一衬底;一下包覆层制作在衬底上;一下波导层制作在下包覆层上,作为载流子限制层,提高电子-空穴复合效率,提高激光器的工作温度;一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下波导层上,作为激光器的有源区,是激光器的核心部位;一上波导层制作在1-20周期的匹配或张应变结构层上,作为载流子限制层,将载流子限制在有源区,进而提高电子-空穴复合效率,提高激光器工作温度;一上包覆层制作在上波导层上;一欧姆接触层制作在上包覆层上,其晶格常数与衬底匹配;一上电极制作在欧姆接触层上,为有源区提供空穴;一下电极制作在减薄后的衬底上,为有源区提供电子。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Patent NumberCN201010591575.7
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010591575.7
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22175
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
孔金霞,徐波,王占国. InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构. CN201010591575.7.
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