SEMI OpenIR  > 光电子器件国家工程中心
一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法
胡理科; 熊聪; 祁琼; 王冠; 马骁宇; 刘素平
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法,包括:将解理好的激光器bar条放入硫化氨溶液中浸泡,对激光器bar条进行钝化处理,并在激光器bar条的前腔面和后腔面上沉积一层硫钝化层;用去离子水冲洗bar条,并用丙酮、异丙醇脱水后再用氮气吹干,然后装上镀膜架,放入MOCVD仪器中;对MOCVD仪器抽真空,开烘烤加热,并通入保护气体;先升高衬底温度,将硫钝化层中的非晶硫层升华,然后通入生长源,在硫饨化层上外延生长一层ZnSe钝化保护薄膜;降温后取出镀膜架,再放入镀膜机中,在激光器bar条的钝化保护薄膜之上镀上增透膜和高反膜。本发明有效去除了腔面氧化层和表面态,减少了对腔面的损伤。
metadata_83光电子器件国家工程中心
Patent NumberCN201010157652.8
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010157652.8
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22093
Collection光电子器件国家工程中心
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GB/T 7714
胡理科,熊聪,祁琼,等. 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法. CN201010157652.8.
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