正多边形微腔双稳半导体激光器 | |
黄永箴; 杨跃德; 王世江 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2011-08-30 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 一种正多边形微腔双稳半导体激光器,其特征在于,该半导体激光器由平板波导经刻蚀制成,包括一正多边形的谐振腔和一输出波导,且该输出波导与该正多边形的谐振腔连接或耦合。 |
部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
专利号 | CN200810224106.4 |
语种 | 中文 |
专利状态 | 公开 |
申请号 | CN200810224106.4 |
专利代理人 | 周国城 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22089 |
专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄永箴,杨跃德,王世江. 正多边形微腔双稳半导体激光器. CN200810224106.4. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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