| 实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法 |
| 谭满清; 孙孟相
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，其特征在于，该方法包括：在长方体管壳的底部焊接一散热基座；在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤，从长方体管壳的侧壁或后壁引出管芯驱动电流的正负极两只管脚；将该长方体管壳置于封焊机的全氮气氛围中，对该长方体管壳进行半导体超辐射发光二极管管芯的无制冷封装。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200810224108.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200810224108.3
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22087
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
谭满清,孙孟相. 实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法. CN200810224108.3.
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