SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
提高电光调制器调制带宽的可集成化方法
徐海华; 徐学俊; 俞育德; 余金中
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种提高电光调制器调制带宽的可集成化方法,该方法包括如下制作步骤:步骤1:在高速电路板上制作高通滤波器,高通滤波器输入端电极与高速电路板边缘靠齐;步骤2:将同轴射频转接头与高速电路板上的高通滤波器的输入端电极焊接在一起;步骤3:在靠近高通滤波器的输出电极的端部、在高速电路板上涂敷粘结剂,将电光调制器芯片固定在高速电路板上;步骤4:利用互连金丝将电光调制器的输入端电极与高通滤波器的输出端电极互连在一起,完成器件的制作。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN200910085877.4
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910085877.4
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22053
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
徐海华,徐学俊,俞育德,等. 提高电光调制器调制带宽的可集成化方法. CN200910085877.4.
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