双通道微环形腔结构传感器与微流通道的集成结构及其制作方法

	双通道微环形腔结构传感器与微流通道的集成结构及其制作方法
	王春霞; 阚强; 陈弘达
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-08-30
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	本发明公开了一种双通道微环形腔结构传感器与微流通道的集成结构及其制作方法。该结构包含两个直波导微环耦合传感单元结构和两个微流通道。直波导微环耦合单元结构位于硅材料衬底上，在传感单元上面是两个由PDMS材料制作的微流通道，该微流通道方向垂直于直波导方向，两个微流通道各自对应一个微环形腔结构。现有该类传感器结构主要是基于单通道单微环耦合单元结构，单环谐振腔传感结构对环境温度比较敏感，在具体检测中，容易产生温度漂移现象，这极大的限制了该类传感器的实际应用。本发明提供的这种基于微环形腔结构的双通道温度补偿传感器结构，有效地避免微环形谐振腔在传感应用中的环境温度变化对测试结果的干扰，提高了器件性能。
部门归属	集成光电子学国家重点实验室
专利号	CN200910237844.7
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN200910237844.7
专利代理人	周国城
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22007
专题	集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王春霞,阚强,陈弘达. 双通道微环形腔结构传感器与微流通道的集成结构及其制作方法. CN200910237844.7.

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