| 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法 |
| 季莲; 张书明 ; 刘宗顺; 杨辉
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构，包括：一绝缘衬底；在该绝缘衬底上依次生长第一接触层、第一光限制层、第一波导层；在该第一波导层表面的脊形上分别生长有源区；在该有源区的上面生长有第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极；该第一波导层上面及侧边，在有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层和P型欧姆接触电极的侧边生长有绝缘层；两个N型欧姆接触电极，分别制作在第一接触层上面的两侧台面的中间；在第一接触层上面两侧暴露出的台面上生长绝缘层；一P型加厚电极，该P型加厚电极制作在第一波导层、有源区、第二波导层、第二光限制层、第二接触层、P型欧姆接触电极的绝缘层上和P型欧姆接触电极的上面。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910241546.5
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910241546.5
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22003
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
季莲,张书明,刘宗顺,等. 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法. CN200910241546.5.
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