SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
长期记录生理电信号的侵入式斜针无痛皮肤干电极器件
裴为华; 王宇; 郭凯; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种长期记录生理电信号的侵入式斜针无痛皮肤干电极器件,包括:一电极基座,该电极基座为圆形、椭圆或多边形;多个微针体,该微针体分为前端和下端,所述微针体呈一预定角度固定在电极基座上,呈螺旋状矩阵分布。该结构改变了原来直插式针状干电极结构,增加了电极和皮肤的接触面积,可以降低接触阻抗,提高提取的生理电信号的质量。该结构可以采用旋进的方式插入,有利于控制插入深度,不会使表皮比较薄的被试者产生疼痛感。该结构的微针阵列有一定的角度,不影响插入,但可以防止皮肤干电极脱出。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200910242338.7
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910242338.7
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21991
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
裴为华,王宇,郭凯,等. 长期记录生理电信号的侵入式斜针无痛皮肤干电极器件. CN200910242338.7.
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