SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法
晏磊; 于丽娟
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法,包括如下步骤:步骤1:将单面抛光的GaAs、InP晶片在多种有机溶剂中反复煮洗,以去掉晶片表面的残留有机物分子,并初步提高晶片表面的亲水性;步骤2:将步骤1处理后的GaAs、InP晶片,分别进行去金属氧化物处理、去C元素处理和亲水性处理;步骤3:在键合夹具的协助下,将亲水处理后的GaAs、InP晶片在去离子水中对准晶向并贴合;步骤4:将贴合后的晶片置于干燥箱中烘干,除去贴合晶片表面水份和界面部分水气,形成晶片间范德瓦耳斯结合;步骤5:进行低温退火,退火后对GaAs晶片单面减薄;步骤6:进行高温退火,最终实现键合界面的原子原子键结合,完成GaAs、InP晶片低温键合过程。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN201010128380.9
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010128380.9
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21953
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
晏磊,于丽娟. 用于多结太阳电池的GaAs/InP晶片低温直接键合方法. CN201010128380.9.
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