SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法
韩培德
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法,其特征在于,该方法是在n型Si衬底迎光面制备具有杂质深能级的重掺杂n型Si层,在该重掺杂n型Si层上制备透明导电膜,再在该透明导电膜上制备欧姆接触n电极作为第一电极;在n型Si衬底背面或迎光面制备肖特基电极作为第二电极,或者在n型Si衬底背面或迎光面形成p型Si区域,再在该p型Si区域上制备欧姆接触p电极作为第二电极。利用本发明,可以大大提高硅探测器的光电响应,即提高灵敏度,并使探测范围向红外光区域拓展。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN201010191164.9
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010191164.9
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21921
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
韩培德. 一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法. CN201010191164.9.
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