| 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法 |
| 王杰; 韩勤; 杨晓红 ; 王秀平; 刘少卿
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法，包括：在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片；清洗外延片，并对外延片进行第一次光刻，获得单悬臂的光刻胶掩膜图形；对外延片进行腐蚀，腐蚀出所要的悬臂台面，并去胶清洗；对腐蚀出悬臂台面的外延片进行第二次光刻，得到面积小于P型电极的图案；选择性的腐蚀掉牺牲层的剩余GaAs和其下的截止层AlxGa1-xAs，暴露P型电极接触层的GaAs，并去胶清洗；对腐蚀出P型电极窗口的外延片进行第三次光刻，得到P型电极图案；外延片带胶溅射钛金电极，并剥离、清洗。利用本发明，解决了截止层与电极接触层材料相制约的情况，降低了工艺难度与成本，制作出了优良的P型电极。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN201010263067.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010263067.6
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21897
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王杰,韩勤,杨晓红,等. 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法. CN201010263067.6.
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