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一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法
王杰; 韩勤; 杨晓红; 王秀平; 刘少卿
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法,包括:在砷化镓衬底上生长波长可调谐共振腔增强型探测器的外延片;清洗外延片,并对外延片进行第一次光刻,获得单悬臂的光刻胶掩膜图形;对外延片进行腐蚀,腐蚀出所要的悬臂台面,并去胶清洗;对腐蚀出悬臂台面的外延片进行第二次光刻,得到面积小于P型电极的图案;选择性的腐蚀掉牺牲层的剩余GaAs和其下的截止层AlxGa1-xAs,暴露P型电极接触层的GaAs,并去胶清洗;对腐蚀出P型电极窗口的外延片进行第三次光刻,得到P型电极图案;外延片带胶溅射钛金电极,并剥离、清洗。利用本发明,解决了截止层与电极接触层材料相制约的情况,降低了工艺难度与成本,制作出了优良的P型电极。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN201010263067.6
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010263067.6
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21897
Collection集成光电子学国家重点实验室
Recommended Citation
GB/T 7714
王杰,韩勤,杨晓红,等. 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法. CN201010263067.6.
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