| 绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法 | |
周亮; 李智勇 ; 俞育德; 余金中
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 专利号 | CN201010283558.7 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010283558.7 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21895 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周亮,李智勇,俞育德,等. 绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法. CN201010283558.7. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010283558.7.pdf（613KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [周亮]的文章 |
| [李智勇]的文章 |
| [俞育德]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [周亮]的文章 |
| [李智勇]的文章 |
| [俞育德]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [周亮]的文章 |
| [李智勇]的文章 |
| [俞育德]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论