| 绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法 | |
周亮; 李智勇 ; 俞育德; 余金中
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器，所述耦合器采用绝缘体上硅材料，包括：一衬底；一限制层，该限制层制作在衬底上；一波导层，该波导层制作在限制层上，该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅；一光子器件，该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN201010283558.7 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201010283558.7 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21895 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 周亮,李智勇,俞育德,等. 绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法. CN201010283558.7. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN201010283558.7.pdf（613KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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