绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法 | |
周亮; 李智勇![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器,所述耦合器采用绝缘体上硅材料,包括:一衬底;一限制层,该限制层制作在衬底上;一波导层,该波导层制作在限制层上,该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅;一光子器件,该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。 |
metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
Patent Number | CN201010283558.7 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010283558.7 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21895 |
Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 周亮,李智勇,俞育德,等. 绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法. CN201010283558.7. |
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