绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法 | |
周亮; 李智勇; 俞育德; 余金中 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2011-08-30 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 一种绝缘体上硅的波导光栅耦合器,所述耦合器采用绝缘体上硅材料,包括:一衬底;一限制层,该限制层制作在衬底上;一波导层,该波导层制作在限制层上,该波导层上面的一端横向制作有衍射光栅;一光子器件,该光子器件的光发射端或接收端置于波导层上的衍射光栅的上方。 |
部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
专利号 | CN201010283558.7 |
语种 | 中文 |
专利状态 | 公开 |
申请号 | CN201010283558.7 |
专利代理人 | 汤保平 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21895 |
专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周亮,李智勇,俞育德,等. 绝缘体上硅的缓变阶梯型波导光栅耦合器及制作方法. CN201010283558.7. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN201010283558.7.pdf(613KB) | 限制开放 | -- | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[周亮]的文章 |
[李智勇]的文章 |
[俞育德]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[周亮]的文章 |
[李智勇]的文章 |
[俞育德]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[周亮]的文章 |
[李智勇]的文章 |
[俞育德]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论