SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法
谈笑天; 郑厚植
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构,该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括:衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al0.3Ga0.7As层、AlxGa1-xAs层(x线性从0.3减至0.1)、Al0.1Ga0.9As层、GaAs层、源漏电极以及栅电极。本发明还公开了一种增强型高电子迁移率晶体管的制作方法。利用本发明,降低了HEMT器件的功耗,简化了制作工艺,降低了制作成本。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Patent NumberCN200810240933.2
Language中文
Status公开
Application NumberCN200810240933.2
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21877
Collection半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
谈笑天,郑厚植. 一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法. CN200810240933.2.
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