SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
低功耗全差分双模前置分频器
颜小舟; 邝小飞; 吴南健
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种低功耗全差分双模前置分频器,由一个全差分2/3分频器、N-1级串联的全差分2分频器列和N-1级串联的全差分与非门列构成,全差分2/3分频器的输出与N-1级全差分2分频器串接,全差分2/3分频器的输入与N-1级全差分与非门串接。2/3分频器由两个具有或非功能的全差分D触发器组成。2分频器列和与非门列,根据工作频率不同各采用了两种功能相同结构不同的电路。由于电路内部的信号传输都为全差分信号,使其在较低的电源电压下仍然能够工作在很高的工作频率,从而有效的降低了电路的动态功耗。由于采用了两种功能相同结构不同2分频器和与非门,使得整体电路既能够工作在很高的工作频率,又具有较小的静态电流。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Patent NumberCN200910076852.8
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910076852.8
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21875
Collection半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
颜小舟,邝小飞,吴南健. 低功耗全差分双模前置分频器. CN200910076852.8.
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