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可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件 | |
孙晓明; 郑厚植; 甘华东![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-30 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件,包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层,该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上;一微腔结构,该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构,运用这种器件结构,可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。 |
metadata_83 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Patent Number | CN200910083493.9 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN200910083493.9 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21873 |
Collection | 半导体超晶格国家重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 孙晓明,郑厚植,甘华东,等. 可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件. CN200910083493.9. |
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CN200910083493.9.pdf(332KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
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