可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件

	可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件
	孙晓明; 郑厚植; 甘华东; 申超
Rights Holder	中国科学院半导体研究所
Date Available	2011-08-30
Country	中国
Subtype	发明
Abstract	一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用这种器件结构，可以在一个器件结构中实现自旋的存储、自旋的探测以及光探测三种功能。
metadata_83	半导体超晶格国家重点实验室
Patent Number	CN200910083493.9
Language	中文
Status	公开
Application Number	CN200910083493.9
Patent Agent	汤保平
Document Type	专利
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21873
Collection	半导体超晶格国家重点实验室
Recommended Citation GB/T 7714	孙晓明,郑厚植,甘华东,等. 可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件. CN200910083493.9.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库