SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
分析光学元件保偏特性的方法
吴昊; 郑厚植; 朱汇
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种分析光学元件保偏特性的方法,包括:由第一宽波段线偏振片和第一宽波段四分之一波长波片组成极化单元,由第二宽波段四分之一波长波片和第二宽波段线偏振片组成检测单元,在同一光路上依次排列有激光器、极化单元、检测单元和光功率计;调节极化单元和调节检测单元;在极化单元和检测单元之间插入待测的光学元件;读取光功率计的读数,若待测光学元件对入射光的偏振状态有所改变,光功率计的读数将有所增加;若待测光学元件对入射光的偏振状态没有改变,则光功率计的读数不变,仍然只反映环境光的强度。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Patent NumberCN200910088591.1
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910088591.1
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21869
Collection半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
吴昊,郑厚植,朱汇. 分析光学元件保偏特性的方法. CN200910088591.1.
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