SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器
孙晓明; 郑厚植; 章昊
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器,包括:一砷化镓衬底;一砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上;一谐振腔结构生长在砷化镓缓冲层上;其中谐振腔结构进一步还包括如下结构:一下反射镜生长在砷化镓缓冲层上,包括交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层;一腔体下砷化镓层,该腔体下砷化镓层生长在下反射镜上;一有源区生长在腔体下砷化镓层上,包括交替生长的铟镓砷量子点和砷化镓间隔层;一腔体上砷化镓层生长在有源区上;一上反射镜生长在腔体上砷化镓层上,包括依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层;其特征在于,下反射镜包括6对交替生长的下反射镜砷化镓层和下反射镜砷化铝层,上反射镜包括1对依次生长的上反射镜砷化铝层和上反射镜砷化镓层。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
专利号CN200910237779.8
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910237779.8
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21859
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
孙晓明,郑厚植,章昊. 高量子效率多工作波长谐振腔增强型光电探测器. CN200910237779.8.
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