SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法
李京波; 朱峰
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明薄膜太阳能电池制备技术领域,公开了一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法,包括以下步骤:步骤1:利用超声波仪器和化学洗剂将浮法玻璃表面清洗干净,并利用氢氟酸刻蚀法去除其表面的氧化层;步骤2:将清洗干净的浮法玻璃放入沉积设备中,沉积透明电极层;步骤3:将沉积了透明电极层的基片用化学试剂超声清洗;步骤4:将清洗干净的基片放入生长设备中,生长CdS薄膜,完成太阳能电池CdS窗口层的制备。利用本发明,提高了器件的性能,可以利用该CdS薄膜制备大面积、低成本的太阳电池及其他光学器件,使CdS薄膜中杂质浓度降低,增强了CdS薄膜的质量。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
专利号CN200910241693.2
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910241693.2
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21855
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李京波,朱峰. 一种制备用于太阳能电池窗口层的CdS薄膜的方法. CN200910241693.2.
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