SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种高密度低寄生的电容装置
冯鹏; 吴南健
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种高密度低寄生的电容装置,包括:一个由多晶硅栅、栅氧及连接到一起的源、漏和N阱构成的PMOS电容;多晶硅栅与第一层金属之间的第一电容;同一层金属之间的第二电容,其中该同一层金属由金属方块阵列构成,且每一个金属方块与其相邻的金属方块分别连接到电容装置的A端口和B端口;通孔与通孔之间的第三电容,其中每个通孔与其相邻的通孔分别连接到电容装置的A端口和B端口;MIM电容,具有上极板和下极板,上极板和下极板分别连接到电容装置的A端口和B端口。本发明通过在MOS电容上实现多晶硅栅与金属层之间的电容、同层金属之间的电容、通孔与通孔之间的电容、MIM电容等,最大限度的实现了单位面积上的电容。
metadata_83半导体超晶格国家重点实验室
Patent NumberCN201010123023.3
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010123023.3
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21839
Collection半导体超晶格国家重点实验室
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GB/T 7714
冯鹏,吴南健. 一种高密度低寄生的电容装置. CN201010123023.3.
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