SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法
吴昊; 郑厚植; 章昊; 朱汇
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法。该结构包括一钕铁硼永磁体、一一维电动平移台及其控制器,其中钕铁硼永磁体通过自制加工件固定在一维电动平移台的台面上。本发明提供的基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法,利用钕铁硼永磁体和一维电动平移台的组合实现了一种可以扫描磁场的实验测量结构。利用本发明,可以紧凑、全天候、无消耗地为实验提供一个可变的磁场环境。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
专利号CN201010162487.5
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010162487.5
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21833
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
吴昊,郑厚植,章昊,等. 一种基于永磁体实现磁场扫描的结构及方法. CN201010162487.5.
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