| 超宽频低相位噪声的集成电感电容压控振荡器; 超宽频低相位噪声的集成电感电容压控振荡器 |
| 兰晓明; 颜峻; 石寅
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2010-10-20
; 2010-10-20
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种集成电感电容压控振荡器，包括：四个可编程的负阻型LC振荡核心电路；一个与该四个可编程的负阻型LC振荡核心电路相连接的公共输出级；以及一个电流大小可编程的偏置模块，该偏置模块通过受控开关连接于该四个可编程的负阻型LC振荡核心电路。本发明的集成电感电容压控振荡器与普通压控振荡器相比，在调谐范围、相位噪声等方面具有明显的优势。本发明特别适用于高要求的多标准多频段射频无线通信系统。 |
| 部门归属 | 高性能集成电路实验室
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| 申请日期 | 2009-04-15
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| 专利号 | CN200910081988.8
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081988.8
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21797
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| 专题 | 高性能集成电路实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
兰晓明,颜峻,石寅. 超宽频低相位噪声的集成电感电容压控振荡器, 超宽频低相位噪声的集成电感电容压控振荡器. CN200910081988.8.
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