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题名: Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
作者: Pan X (Pan Xu);  Wei M (Wei Meng);  Yang CB (Yang Cuibai);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XL (Wang Xiaoliang)
出版日期: 2011
会议日期: AUG 08-13, 2010
会议名称: 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG16)/14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE14)
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467
专题: 半导体材料科学中心_会议论文

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Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer.pdf396KbAdobe PDF 联系获取全文


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Pan X (Pan Xu); Wei M (Wei Meng); Yang CB (Yang Cuibai); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang).Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467.2011
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