GaAs 基图形化衬底制备与纳米结构控位生长研究
金兰
学位类型博士
导师梁骏吾 ; 曲胜春
2011
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业材料物理与化学
学科领域半导体材料
公开日期2011-06-12
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20792
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
金兰. GaAs 基图形化衬底制备与纳米结构控位生长研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2011.
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