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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix
作者: Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ
出版日期: 1998
会议日期: JUN 23-27, 1997
摘要: The steplike density of states obtained from reflectance-difference spectroscopy demonstrates that ultrathin InAs layers should be regarded as two-dimensional quantum wells rather than isolated clusters, even for the sample with only 1/3 monolayer InAs in (311)-oriented GaAs. The degree of anisotropy is within the intrinsic anisotropy of (311)-oriented ultrathin quantum wells, indicating that there is little structural or strain anisotropy in the InAs islands. (C) 1998 Elsevier Science B.V.
会议名称: 6th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-6)
KOS主题词: States;  Cantons
会议文集: APPLIED SURFACE SCIENCE, 123
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Chen YH; Yang Z; Wang ZG; Xu B; Liang JB; Qian JJ .Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix .见:ELSEVIER SCIENCE BV .APPLIED SURFACE SCIENCE, 123,PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,1998,343-346
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