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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Electronic investigation of self-organized InAs quantum dots
作者: Chen F;  Feng SL;  Yang XZ;  Zhao Q;  Wang ZM;  Wen LS
出版日期: 1997
会议日期: JUL 08-11, 1997
摘要: Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) has been applied to investigate the electronic properties of self-organized InAs quantum dots. The energies of electronic ground states of 2.5ML and 1.7ML InAs quantum dots (QDs) with respect to the conduction band of bulk GaAs are about 0.21 eV and 0.09 eV, respectively. We have found that QDs capture electrons by lattice relaxation through a multi-phonon emission process. The samples are QDs embedded in superlattices with or without a 500 Angstrom GaAs spacing layer between every ten periods of a couple of GaAs and InAs layers. The result shows that the density of dislocations in the samples with spacer layers is much lower than in the samples without the spacer layers.
会议名称: 10th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices
会议文集: PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Chen F; Feng SL; Yang XZ; Zhao Q; Wang ZM; Wen LS .Electronic investigation of self-organized InAs quantum dots .见:V S V CO. LTD .PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES, 12,BOX 11, 105523 MOSCOW, RUSSIA ,1997,179-185
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