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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors
作者: Wu WG;  Jiang DS;  Cui LQ;  Song CY;  Zhuang Y
出版日期: 1997
会议日期: 35672
摘要: GaAs/AlAs/GaAlAs double barrier quantum well (DBQW) structures are employed for making the 3 similar to 5 mu m photovoltaic infrared (IR) detectors with a peak detectivity of 5x10(11) cmHz(1/2)/W at 80K. The double crystal x-ray diffraction is combined with synchrotron radiation x-ray analysis to determine the exact thickness of GaAs, AlAs and GaAlAs sublayers. The interband photovoltaic (PV) spect ra of the DBQW sample and the spectral response of the IR photocurrent of the devices are measured directly by edge excitation method, providing the information about spatial separation processes of photogenerated carriers in the multiquantum wells and the distribution of built-in field in the active region.
会议名称: 1997 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting
会议文集: 1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Wu WG; Jiang DS; Cui LQ; Song CY; Zhuang Y .Structural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors .见:IEEE .1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,1997,110-113
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