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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
作者: Sun ZZ;  Liu FQ;  Wu J;  Ye XL;  Ding D;  Xu B;  Liang JB;  Wang ZG
出版日期: 2000
会议日期: JUN 13-18, 1999
摘要: In this paper, we investigated the self-assembled quantum dots formed on (100) and (N11)B (N = 2, 3, 4, 5) InP substrates by molecular beam epitaxy (MBE). Two kinds of ternary QDs (In0.9Ga0.1As and In0.9Al0.1As QDs) are grown on the above substrates; Transmission electron microscopy (TEM) and photoluminescence (PL) results confirm QDs formation for all samples. The PL spectra reveal obvious differences in integral luminescence, peak position, full-width at half-maximum and peak shape between different oriented surfaces. Highest PL integral intensity is observed from QDs on (411)B surfaces, which shows a potential for improving the optical properties of QDs by using high-index surface. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
会议名称: 50th IUMRS International Conference on Advanced Materials
KOS主题词: atomic layer deposition;  atomic layer deposition;  Vapor phase epitaxy;  Gallium arsenide;  Islands;  Photoluminescence;  Development;  Lasers
会议文集: PHYSICA E, 8 (2)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Sun ZZ; Liu FQ; Wu J; Ye XL; Ding D; Xu B; Liang JB; Wang ZG .Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates .见:ELSEVIER SCIENCE BV .PHYSICA E, 8 (2),PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,2000,164-169
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