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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
作者: Liu HY;  Xu B;  Ding D;  Chen YH;  Zhang JF;  Wu J;  Wang ZG
出版日期: 2001
会议日期: SEP 11-15, 2000
摘要: The size and shape Evolution of self-assembled InAs quantum dots (QDs) influenced by 2.0-ML InAs seed layer has been systematically investigated for 2.0, 2.5, and 2.9-ML deposition on GaAs(1 0 0) substrate. Based on comparisons with the evolution of InAs islands on single layer samples at late growth stage, the bimodal size distribution of InAs islands at 2.5-ML InAs coverage and the formation of larger InAs quantum dots at 2.9-ML deposition have been observed on the second InAs layer. The further cross-sectional transmission electron microscopy measurement indicates the larger InAs QDs: at 2.9-ML deposition on the second layer are free of dislocation. In addition, the interpretations for the size and shape evolution of InAs/GaAs QDs on the second layer will be presented. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All lights reserved.
会议名称: 11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-XI)
KOS主题词: atomic layer deposition;  Nanostructured materials;  Gallium arsenide;  Development;  Thickness;  Density
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Liu HY; Xu B; Ding D; Chen YH; Zhang JF; Wu J; Wang ZG .Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer .见:ELSEVIER SCIENCE BV .JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227,PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,2001,1005-1009
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