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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Self-assembled InAs quantum wires on InP(001)
作者: Wu J;  Zeng YP;  Sun ZZ;  Lin F;  Xu B;  Wang ZG
出版日期: 2000
会议日期: JUL 03-07, 2000
摘要: Self-assembled InAs quantum wires (QWRs) embedded in In0.52Al0.48As In0.53Ga0.47As, and (In0.52Al0.48As)(2)/(In(0.53)Ga(0.47)AS)(2)-short-period-lattice matrixes on InP (001) were fabricated with molecular beam epitaxy (MBE). These QWR lines are along [110], x4 direction in the 2x4 reconstructed (001) surface as revealed with high energy electron diffraction (RHEED). Alignment of quantum wires in a multilayer structure depends on the composition of spacer layers.
会议名称: 11th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XI)
KOS主题词: Vapor phase epitaxy;  Gallium arsenide;  Islands;  State
会议文集: SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Wu J; Zeng YP; Sun ZZ; Lin F; Xu B; Wang ZG .Self-assembled InAs quantum wires on InP(001) .见:IEEE .SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2000,205-208
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