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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells
作者: Deng X;  Wang W;  Han S;  Povolny H;  Du W;  Liao X;  Xiang X
出版日期: 2002
会议日期: JUL 01-06, 2001
摘要: This paper reports the impact of a wide bandgap p-type hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) on the performances of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) based solar cells. The player consists of nanometer-sized Si crystallites and has a wide effective bandgap determined mainly by the quantum size-confinement effect (QSE). By incorporation of this p-layer into the devices we have obtained high performances of a-Si:H top solar cells with V-infinity=1.045 V and FF=70.3 %, and much improved mid and bottom a-SiGe:H cells, deposited on stainless steel (SS) substrate. The effects of the band-edge mismatch at the p/i-interface on the I-V characteristics of the solar cells arc discussed on the bases of the density-functional approach and the AMPS model.
会议名称: International Conference on Material for Advanced Technologies
会议文集: INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Deng X; Wang W; Han S; Povolny H; Du W; Liao X; Xiang X .Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells .见:WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD .INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2),JOURNAL DEPT PO BOX 128 FARRER ROAD, SINGAPORE 912805, SINGAPORE ,2002,57-63
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