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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Type-II SiGe/Si MQWS (multi-quantum wells) and self-organized Ge/Si islands grown by UHV/CVD system
作者: Yu JZ;  Huang CJ;  Cheng BW;  Zuo YH;  Luo LP;  Wang QM
出版日期: 2002
会议日期: JUN 10-14, 2002
摘要: Type-II SiGe/Si MQWs (Multi-Quantum Wells) and Self-Organized Ge/Si Islands were successfully grown by a homemade ultra-high vacuum/chemical vapor deposition (UHV/CVD) system. Growth characteristics and PL (photoluminescence) spectra at different temperature were measured. It demonstrated that some accumulation of carriers in the islands results in the increase of the integrated PL intensity of island-related at a certain temperature range.
会议名称: Symposium on Silicon-based Heterostructure Materials held at the 8th IUMRS International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM2002)
会议文集: INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Yu JZ; Huang CJ; Cheng BW; Zuo YH; Luo LP; Wang QM .Type-II SiGe/Si MQWS (multi-quantum wells) and self-organized Ge/Si islands grown by UHV/CVD system .见:WORLD SCIENTIFIC PUBL CO PTE LTD .INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29),JOURNAL DEPT PO BOX 128 FARRER ROAD, SINGAPORE 912805, SINGAPORE ,2002,4228-4233
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