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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Applications of dielectric thin film by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition for semiconductor photoelectronic devices
作者: Mao DS;  Tan MQ;  Chen LH
出版日期: 1998
会议日期: SEP 16-18, 1998
摘要: The paper reports a method of depositing SiO2, SiNx, a:Si, Si3N4 and SiOxNy dielectric thin films by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition (ECR CVD) on InP, InGaAs and other compound semiconductor optoelectronic devices,and give a technology of depositing dielectric thin films and optical coatings by ECR CVD on Laser's Bars. The experiment results show the dielectric thin films and optical coatings are stable at thermomechanical property,optical properties and the other properties. In addition, the dielectric thin film deposition that there is low leakage current is reported for using as diffusion and ion implatation masks in the paper. In the finally, the dielectric film refractive index can be accurately controlled by the N-2/O-2/Ar gas flow rate.
会议名称: Semiconductor Lasers III
会议文集: SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Mao DS; Tan MQ; Chen LH .Applications of dielectric thin film by electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition for semiconductor photoelectronic devices .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,1998,315-318
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