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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: 1.3 mu m InGaAsP/InP strained layer multi-quantum-well complex-coupled distributed feedback laser
作者: Chen B;  Wang W;  Wang XJ;  Zhang JY;  Zhu HL;  Zhou F
出版日期: 1998
会议日期: SEP 16-18, 1998
摘要: 1.3 mu m strained-layer multi-quantum wells complex-coupled distributed feedback lasers with a wide temperature range of 20 to 100 degrees C are reported. The low threshold current of 10mA and high single-facet slope efficiency of 0.3mW/mA were obtained for an as cleaved device. The single mode yield was as high as 80%.
会议名称: Semiconductor Lasers III
会议文集: SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Chen B; Wang W; Wang XJ; Zhang JY; Zhu HL; Zhou F .1.3 mu m InGaAsP/InP strained layer multi-quantum-well complex-coupled distributed feedback laser .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,1998,12-15
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