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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: On the nature of iron in InP: A FTIR study
作者: Han YJ;  Liu XL;  Lao JH;  Lin LY
出版日期: 1998
会议日期: SEP 18-19, 1998
摘要: Fe is still the commonly used dopant to fabricate semi-insulating(SI) InP, a key material for high-speed electronic and optoelectronic devices. High resolved absorption spectra of the internal d-d shell transitions at Fe2+ in InP and the related phonon sidebands and a series of iron related absorption Lines are presented. Detailed infrared absorption study of the characteristic spectra of four zero-phonon lines(ZPLs), which are attributed to transitions within the 5D ground state of Fe2+ (3d(6)) on the indium site in a tetrahedral crystal field of phosphorus atoms and their temperature effects are given.
会议名称: Conference on Integrated Optoelectronics II
KOS主题词: Iron
会议文集: INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Han YJ; Liu XL; Lao JH; Lin LY .On the nature of iron in InP: A FTIR study .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,1998,1-4
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