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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Two-dimensional numerical simulation of the channel electron in an In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.48As HEMT
作者: Zhang XH;  Yang YF;  Wang ZG
出版日期: 1997
会议日期: 35672
摘要: A two-dimensional quantum model based on the solution of Schrodinger and Poisson equations is first presented for In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InP HEMT. According to the model, the two-dimensional distributions of electron density and transverse electric field in the channel of InAlAs/InGaAs HEMT are discussed.
会议名称: 1997 IEEE Hong Kong Electron Devices Meeting
会议文集: 1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Zhang XH; Yang YF; Wang ZG .Two-dimensional numerical simulation of the channel electron in an In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.48As HEMT .见:IEEE .1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,1997,114-116
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