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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2
作者: Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC
出版日期: 1998
会议日期: SEP 29-OCT 02, 1998
摘要: The nearly lattice-matched LiGaO2 and LiAlO2 substrates have been used for the growth of GaN by LP-MOVPE. GaN epilayers have been grown on the two substrates at very low input partial pressure of hydrogen and relatively low growth temperature. The difference in the growth rate, crystal and optical qualities of hexagonal GaN epilayers grown on LiAlO2 and LiGaO2 substrate with two polar domains are investigated. LiAlO2 and LiGaO2 single crystal with a single domain structure and an adequate surface plane are promising substrates for the growth of high quality of hexagonal GaN thin films.
会议名称: 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (2nd ISBLLED)
KOS主题词: Diodes
会议文集: BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Duan SK; Teng XG; Han PD; Lu DC .Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2 .见:OHMSHA LTD .BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II,1-3 KANDA NISHIKI-CHO, CHIYODA-KU, TOKYO, 101, JAPAN ,1998,158-161
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