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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: High efficiency, low vertical divergence angle 980nnn Al-free active region lasers with novel large optical cavity and asymmetrical cladding layers
作者: Xiu ZT;  Zhang JM;  Ma XY;  Yang GW;  Shen GD;  Chen LH
出版日期: 2000
会议日期: JAN 24-25, 2000
摘要: 980nm InGaAs/InGaAsP/AlGaAs strained quantum well lasers,vitta novel large optical cavity and asymmetrical claddings was fabricated bg MOCVD. Very high differential quantum efficiency elf 90% (1.15W/A) and low vertical divergence angle of 24 degrees at long cavity length were obtained for 100 mu m stripe lasers. The differential quantum efficiency is up to 94% (1.20) at cavity length of 500 mu m.
会议名称: Conference on In-Plane Semiconductor Lasers IV
KOS主题词: social dominance;  fiber;  Nm
会议文集: IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 3947
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Xiu ZT; Zhang JM; Ma XY; Yang GW; Shen GD; Chen LH .High efficiency, low vertical divergence angle 980nnn Al-free active region lasers with novel large optical cavity and asymmetrical cladding layers .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 3947,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,2000,66-69
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