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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices
作者: Liu XL;  Yuan HR;  Lu DC;  Wang XH
出版日期: 2000
会议日期: SEP 24-27, 2000
摘要: Low resistivity of p-type Mg-doped AlGaN/GaN superlattices (SLs) is demonstrated. The resistivity of the SLs is less than 0.6 Omega .cm. and the measured hole concentration is higher than 1x10(18)cm(-3). The resistivity of SLs is much lower, and the hole concentration of SLs is much higher, than that of bulk GaN and AlGaN, The electrical properties of the SLs are less sensitive than the conventional bulk lavers.
会议名称: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2000)
KOS主题词: electrical resistivity;  Hole concentration;  electromagnetic wave polarisation
会议文集: PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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Liu XL; Yuan HR; Lu DC; Wang XH .Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices .见:INST PURE APPLIED PHYSICS .PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1,DAINI TOYOKAIJI BLDG 24-8 SHINBASHI 4 CHOME, TOKYO, 105-0004, JAPAN ,2000,732-735
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