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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: SiGe/Si quantum well resonant-cavity-enhanced photodetector
作者: Li C;  Yang QQ;  Wang HJ;  Zhu JL;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM
出版日期: 2000
会议日期: JUL 31-AUG 02, 2000
摘要: Resonant-cavity-enhanced photodetectors have been demonstrated to be able to improve the bandwidth-efficiency product. We report a novel SiGe/Si multiple quantum-well resonant-cavity-enhanced photodetector fabricated on a separation-by-implanted-oxygen wafer operating near 1300nm. The buried oxide layer in SIMOX is used as a bottom mirror to form a vertical cavity with silicon dioxide/silicon Bragg reflector deposited on the top surface. The quantum efficiency at the wavelength of 1300nm is measured with 3.5% at a reverse bias of 15V, which is enhanced by 10 folds compared with a conventional photodetector with the same absorption structures.
会议名称: Conference on Terahertz and Gigahertz Electronics and Photonics II
KOS主题词: Lithography, Electron beam
会议文集: TERAHERTZ AND GIGAHERTZ ELECTRONICS AND PHOTONICS II, 4111
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Li C; Yang QQ; Wang HJ; Zhu JL; Luo LP; Yu JZ; Wang QM .SiGe/Si quantum well resonant-cavity-enhanced photodetector .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .TERAHERTZ AND GIGAHERTZ ELECTRONICS AND PHOTONICS II, 4111,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,2000,54-59
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