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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy
作者: Lu LW;  Ge WK;  Sou IK;  Wang J
出版日期: 2001
会议日期: OCT 22-25, 2001
摘要: Deep level transient spectroscopy (DLTS) technique was used to investigate deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex epilayers grown by molecular fiction epitaxy (MBE), Deep level transient Fourier spectroscopy (DLTFS) spectra of the Al-doped ZnS1-xTex (x = 0. 0.017, 0.04 and 0.046. respectively) epilayers reveal that At doping leads to the formation of two electron traps at 0.21 and 0.39 eV below the conduction hand. 1)DLTFS results suggest that in addition to the rules of Te as a component of [lie alloy as well as isoelectronic centers, Te is also involved in the formation of all electron trip, whose energy level relative to the conduction hand decreases a, Te composition increases.
会议名称: 6th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology
会议文集: SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Lu LW; Ge WK; Sou IK; Wang J .Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy .见:IEEE .SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2001,1446-1448
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