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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum well lasers and photodetectors
作者: Zhong P;  Lin YW;  Li LH;  Xu YQ;  Wei Z;  Wu RH
出版日期: 2001
会议日期: NOV 12-15, 2001
摘要: The growth of GalnNAs/GaAs quantum well (QW) has been investigated by solid-source molecular beam epitaxy (MBE). N was introduced by a dc-active plasma source. Highest N concentration of 2.6% in GaInNAs/GaAs QW was obtained, corresponding to the photoluminescence peak wavelength of 1.57 mum at 10K. The nitrogen incorporation behavior in MBE growth and the quality improvement of the QW have been studied in detail. 1.3 mum GaInNAs/GaAs SQW laser and MQW resonant-cavity enhanced photodetector have been achieved.
会议名称: Asia-Pacific Optical and Wireless Communications Conference (APOC 2001)
KOS主题词: Operation
会议文集: APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Zhong P; Lin YW; Li LH; Xu YQ; Wei Z; Wu RH .1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum well lasers and photodetectors .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,2001,73-77
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