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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
作者: Huang CJ;  Zuo YH;  Li C;  Li DZ;  Cheng BW;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM
出版日期: 2001
会议日期: NOV 12-15, 2001
摘要: We show that the observed temperature dependence of the photoluminescence (PL) features can be consistently explained in terms of thermally activated carrier transfer processes in a multilayer structure of the self-organized Ge/Si(001) islands. The type II (electron confinement in Si) behavior of the Ge/Si islands is verified. With elevated temperature, the thermally activated electrons and holes enter the Ge islands from the Si and from the wetting layer (WL), respectively. An involvement of the type I (spatially direct) into type II (spatially indirect) recombination transition takes place at a high temperature.
会议名称: Asia-Pacific Optical and Wireless Communications Conference (APOC 2001)
KOS主题词: Quantum dot;  temperature dependence;  Photoluminescence;  Layers;  Luminescence;  Organization;  mechanism
会议文集: APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Huang CJ; Zuo YH; Li C; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM .Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure .见:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING .APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580,1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA ,2001,202-208
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