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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Optical study of electronic states in GaAsN
作者: Luo XD;  Yang CL;  Huang JS;  Xu ZY;  Liu J;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW
出版日期: 2002
会议日期: DEC 11-13, 2002
摘要: GaAs1-xNx alloys with small N composition (x<1%) and GaAsN/GaAs quantum wells (QWs) were studied by continuous wave photoluminescence (PL), pulse wave excitaiton PL and time-resolved PL. In the PL spectra an extra transition located at the higher energy side of the commonly reported N-related emissions was observed. By measuring the PL dependence on temperature and excitation power, the new PL peak was identified as a transition of alloy band edge-related recombination in GaAsN and delocalized transition in QWs. The PL dynamics further confirms its intrinsic nature of band edge states rather than N-related bound states.
会议名称: Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD)
KOS主题词: atomic layer deposition;  Quantum Well;  Alloys;  Relaxation
会议文集: COMMAD 2002 PROCEEDINGS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Luo XD; Yang CL; Huang JS; Xu ZY; Liu J; Ge WK; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW .Optical study of electronic states in GaAsN .见:IEEE .COMMAD 2002 PROCEEDINGS,345 E 47TH ST, NEW YORK, NY 10017 USA ,2002,587-590
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