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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
作者: Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG
出版日期: 2003
会议日期: DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
摘要: We have investigated the optical properties of asymmetric multiple layer stacked self-assembled InAs quantum dot with different interlayer. We found that asymmetric multiple stacked QD samples with In0.2Ga0.8As + GaAs interlayer can afford a 180nm flat spectral width with strong PL intensity compared to other samples at room temperature. We think this result is due to the introduction of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer. Additionally, for the broad spectral width and the strong PL intensity, this structure can be a promising candidate for quantum-dot superluminescent diodes.
会议名称: Symposium on Quantum Confined Semiconductor Nanostructures held at the 2002 MRS Fall Meeting
KOS主题词: Infrared spectra;  Spectrum analysis
会议文集: QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Zhang ZY; Li CM; Jin P; Meng XQ; Xu B; Ye XL; Wang ZG .Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes .见:MATERIALS RESEARCH SOCIETY .QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737,506 KEYSTONE DRIVE, WARRENDALE, PA 15088-7563 USA ,2003,119-127
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