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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
作者: Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG
出版日期: 2004
会议日期: SEP 29-OCT 02, 2003
摘要: The in-plane optical anisotropy of several GaAs/AlGaAs quantum well samples with different well widths has been measured at room temperature by reflectance-difference spectroscopy (RDS). The RDS line shapes are found to be similar in all the samples examined here, which dominantly consist of two peak-like signals corresponding to 1HH-->1E and 1LH-->1E transition. As the well width is decreased, or the 1 ML InAs layer is inserted at one interface, the intensity of the anisotropy increases quickly. Our detail analysis shows that the anisotropy mainly arises from the anisotropic interface roughness. The results demonstrate that the RDS technique is sensitive to the interface structures.
会议名称: 10th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP 10)
KOS主题词: Raman effect;  Quantum wells;  Development;  roughness;  Finishing;  Segregation;  Separation;  Gallium arsenide
会议文集: EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Ye XL; Chen YH; Xu B; Zeng YP; Wang ZG .Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy .见:E D P SCIENCES .EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3),17, AVE DU HOGGAR, PA COURTABOEUF, BP 112, F-91944 LES ULIS CEDEX A, FRANCE ,2004,297-300
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